Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta: 60
Parametry:
Format dysku:
M.2 2280
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Odczyt losowy:
700000 IOPS
Pojemność dysku:
2 TB
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Rodzina dysków:
990 EVO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ dysku:
SSD
Typ kości pamięci:
V-NAND
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
800000 IOPS
Informacje dotyczące bezpieczeństwa
Produkt może zawierać elementy wymagające ostrożności podczas użytkowania. Należy przestrzegać zaleceń producenta oraz instrukcji użycia. Używać zgodnie z przeznaczeniem.
Dane producenta
Samsung
Po Box 12987
015 Dublin
Ireland
officepl@samsung.com
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
