Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80,15 x Maks 22,15 x Maks 2,38mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
producenta [mies.]: 60
Parametry:
Format dysku:
M.2 2280
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Odczyt losowy:
1850000 IOPS
Pojemność dysku:
1 TB
Prędkość odczytu (max):
14700 MB/s
Prędkość zapisu (max):
13300 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ dysku:
SSD
Typ kości pamięci:
V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
2600000 IOPS
Informacje dotyczące bezpieczeństwa
Produkt może zawierać elementy wymagające ostrożności podczas użytkowania. Należy przestrzegać zaleceń producenta oraz instrukcji użycia. Używać zgodnie z przeznaczeniem.
Dane producenta
Samsung
Po Box 12987
015 Dublin
Ireland
officepl@samsung.com
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
